产品培训模块：eGaN® Integrated GaN Power

标准包装：10

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：eGaN®

包装：托盘

FET 类型：2 个 N 通道（半桥）

FET 功能：GaNFET（氮化镓）

漏源极电压（Vdss）：80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：23A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.5 毫欧 @ 20A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 7mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：6.5nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：760pF @ 40V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：模具

配用：917-1065-ND - BOARD DEV FOR EPC2103 80V EGAN

其它名称：917-EPC2103ENGEPC2103ENGRH7