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EPC2105 /GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2105的规格信息
EPC2105的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列eGaN®

零件状态Digi-Key 停产

FET 类型2 个 N 通道(半桥)

FET 功能GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)80V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)9.5A,38A

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)14.5 毫欧 @ 20A,5V,3.4 毫欧 @ 20A,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 2.5mA,2.5V @ 10mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)2.5nC @ 5V,10nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)300pF @ 40V,1100pF @ 40V

功率 - 最大值-

工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

封装/外壳模具

供应商器件封装模具

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EPC2105ENGEPC10+:¥84.37
100+:¥71.7199
250+:¥65.39
500+:¥61.1701
1000+:¥56.11
2500+:¥53.9999
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