FET 类型：2 个 N 通道（半桥）

FET 功能：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：23A（Tj）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.4 毫欧 @ 20A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 7mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.8nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：830pF @ 30V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：模具

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs