制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSONP-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:48 A

Rds On-漏源导通电阻:8.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.6 W

配置:Single

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.9 mm

长度:3.15 mm

系列:CSD17552Q3A

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:106 S

下降时间:3.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.4 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:7.2 ns

单位重量:27.800 mg