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CSD17310Q5A /MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
CSD17310Q5A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSONP-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:5.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:8.9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:6 mm

系列:CSD17310Q5A

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.9 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:85 S

开发套件:TPS40007EVM-001, TPS51220EVM

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11.6 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:6.5 ns

供应商CSD17310Q5A
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深圳市德州众泰科技有限公司CSD17310Q5A深圳市福田区航都大厦25F0755-82780836
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