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CSD17506Q5A /MOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
CSD17506Q5A的规格信息
CSD17506Q5A的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSONP-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:8.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:6 mm

系列:CSD17506Q5A

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Power MOSFET

宽度:4.9 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:76 S

下降时间:5.3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:7.5 ns

供应商CSD17506Q5A
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