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CSD17309Q3 /MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
CSD17309Q3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSON-CLIP-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:5.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:7.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:3.3 mm

系列:CSD17309Q3

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Power MOSFET

宽度:3.3 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:67 S

开发套件:DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM

下降时间:3.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.9 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13.2 ns

典型接通延迟时间:6.1 ns

单位重量:44.500 mg

供应商CSD17309Q3
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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元器件资料网-Rochester的LOGO
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