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CSD17484F4 /MOSFET 8mil version of CSD17381F4
CSD17484F4的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PICOSTAR-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:3.0 A

Rds On-漏源导通电阻:128 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:650 mV

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:920 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.2 mm

长度:1 mm

系列:CSD17484F4

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:0.6 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:4 S

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:3 ns

单位重量:0.400 mg

供应商CSD17484F4
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CSD17484F4TTexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR$0.39000
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CSD17484F4Texas InstrumentsMOSFET CSD17484F4 30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 1501:¥3.616
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