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CSD17307Q5A /MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
CSD17307Q5A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSONP-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:73 A

Rds On-漏源导通电阻:10.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:6 mm

系列:CSD17307Q5A

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.9 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:66 S

开发套件:TPS51123EVM-399, TPS40195EVM-001, TPS51116EVM-001, TPS51125EVM, TPS51220EVM

下降时间:2.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.7 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:9.3 ns

典型接通延迟时间:4.6 ns

单位重量:100 mg

供应商CSD17307Q5A
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深圳市威雅利发展有限公司CSD17307Q5A华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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芯莱德电子(香港)有限公司CSD17307Q5A深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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CSD17307Q5ATexas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET1+:¥7.0101
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Digi-Key 得捷电子
CSD17307Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON$0.82000
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Mouser 贸泽电子
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CSD17307Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET1:¥5.6839
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Rochester
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Verical
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立创商城
CSD17307Q5ATI(德州仪器)连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.8V @ 250uA 漏源导通电阻:10.5mΩ @ 11A,8V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道1+:¥3.03
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30+:¥2.1
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1000+:¥1.85