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CSD17304Q3 /MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
CSD17304Q3的规格信息
CSD17304Q3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSON-CLIP-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:56 A

Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:5.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:3.3 mm

系列:CSD17304Q3

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Power MOSFET

宽度:3.3 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:48 S

开发套件:TPS65090EVM

下降时间:3.1 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.1 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10.4 ns

典型接通延迟时间:5.1 ns

单位重量:40.600 mg

供应商CSD17304Q3
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CSD17304Q330V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs TI[Texas Instruments]TI[Texas Instruments]的LOGO373.91 Kbytes共10页CSD17304Q3的PDF下载地址无
CSD17304Q3_10The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications. TI1[Texas Instruments]TI1[Texas Instruments]的LOGO532.3 Kbytes共11页CSD17304Q3_10的PDF下载地址无
CSD17304Q3的全球分销商及价格
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Am2		CSD17304Q3Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET2500+:￥2.631+:￥5.97
10+:￥5.3301
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ChipOneStop		CSD17304Q3Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET2500+:￥2.631+:￥5.97
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Digi-Key 得捷电子		CSD17304Q3Texas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON$0.92000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		CSD17304Q3Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET2500+:￥2.63
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		CSD17304Q3Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET2500+:￥2.631+:￥5.97
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		CSD17304Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET1:¥6.3732
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Verical		CSD17304Q3Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET2500+:￥2.631+:￥5.97
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立创商城		CSD17304Q3TI(德州仪器)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 17A,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道1+:￥4
10+:￥3
30+:￥2.81
100+:￥2.63
500+:￥2.54
1000+:￥2.5
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