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CSD17551Q5A /MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD17551Q5A的规格信息
CSD17551Q5A的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSONP-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:48 A

Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3 W

配置:Single

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:6 mm

系列:CSD17551Q5A

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.9 mm

商标:Texas Instruments

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

供应商CSD17551Q5A
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