数据列表:TK33S10N1Z -
标准包装:2,000
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
包装:带卷(TR)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.7 毫欧 @ 16.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):28nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2050pF @ 10V
功率 - 最大值:78.9W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK+
其它名称:TK33S10N1Z,LQ(OTK33S10N1ZLQTR