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TK31V60W5,LVQ /MOSFET N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A
TK31V60W5,LVQ的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN8x8-5

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:30.8 A

Rds On-漏源导通电阻:87 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:105 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:240 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.85 mm

长度:8 mm

系列:TK31

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:8 mm

商标:Toshiba

下降时间:8.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:80 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:165 ns

典型接通延迟时间:120 ns

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK31V60W5,LVQ北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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