制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:2 A

Rds On-漏源导通电阻:4.7 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:12 nC

最小工作温度:-

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:80 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:70 ns

典型接通延迟时间:50 ns