TK31N60W,S1VF(S
/MOSFET, DTMOS4, 600V/31A, TO247
TK31N60W,S1VF(S的规格信息
通道类型:N
最大连续漏极电流:31 A
最大漏源电压:600 V
最大漏源电阻值:88 m0hms
最大栅阈值电压:3.7V
最大栅源电压:-30 V、+30 V
封装类型:TO-247
安装类型:通孔
引脚数目:3
晶体管配置:单
通道模式:增强
类别:功率 MOSFET
最大功率耗散:230 W
最高工作温度:+150 °C
每片芯片元件数目:1
长度:15.94mm
高度:20.95mm
系列:TK
宽度:5.02mm
晶体管材料:Si
典型栅极电荷@Vgs:86 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds:3000 pF @ 300 V
典型关断延迟时间:165 ns
典型接通延迟时间:70 ns
尺寸:15.94 x 5.02 x 20.95mm
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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芯莱德电子(香港)有限公司 | TK31N60W,S1VF(S | 深圳市福田区航都大厦10L | 13352985419 13352985419,19076157484 | 杨先生 | | 询价 |
深圳市言叶科技有限公司 | TK31N60W,S1VF(S | 深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路101号华发大院4栋206-2 | 17673093037 17673093037 | 刘新 | | 询价 |
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TK31N60W,S1VF(S及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
TK31N60W,S1VF(S | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:3.7V @ 1.5mA 漏源导通电阻:88mΩ @ 15.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W(Tc) 类型:N沟道 | TOSHIBA(东芝) | | 255.92 Kbytes | 共10页 | | 无 |
TK31N60W,S1VF(S的全球分销商及价格
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立创商城 | TK31N60W,S1VF(S | TOSHIBA(东芝) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:3.7V @ 1.5mA 漏源导通电阻:88mΩ @ 15.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥17.99 10+:¥13.49 30+:¥12.67 100+:¥11.84 500+:¥11.47 1000+:¥11.29
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