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TK31N60W,S1VF(S /MOSFET, DTMOS4, 600V/31A, TO247
TK31N60W,S1VF(S的规格信息
TK31N60W,S1VF(S的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:31 A

最大漏源电压:600 V

最大漏源电阻值:88 m0hms

最大栅阈值电压:3.7V

最大栅源电压:-30 V、+30 V

封装类型:TO-247

安装类型:通孔

引脚数目:3

晶体管配置:

通道模式:增强

类别:功率 MOSFET

最大功率耗散:230 W

最高工作温度:+150 °C

每片芯片元件数目:1

长度:15.94mm

高度:20.95mm

系列:TK

宽度:5.02mm

晶体管材料:Si

典型栅极电荷@Vgs:86 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds:3000 pF @ 300 V

典型关断延迟时间:165 ns

典型接通延迟时间:70 ns

尺寸:15.94 x 5.02 x 20.95mm

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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芯莱德电子(香港)有限公司TK31N60W,S1VF(S深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市言叶科技有限公司TK31N60W,S1VF(S深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路101号华发大院4栋206-217673093037
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集好芯城TK31N60W,S1VF(S深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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深圳振宏微科技有限公司TK31N60W,S1VF(S振兴西路星火工场(305栋)4c020755-83791997
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型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
TK31N60W,S1VF(S连续漏极电流(Id)(25°C 时):30.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:3.7V @ 1.5mA 漏源导通电阻:88mΩ @ 15.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W(Tc) 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO255.92 Kbytes共10页TK31N60W,S1VF(S的PDF下载地址
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TK31N60W,S1VF(STOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:3.7V @ 1.5mA 漏源导通电阻:88mΩ @ 15.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W(Tc) 类型:N沟道1+:¥17.99
10+:¥13.49
30+:¥12.67
100+:¥11.84
500+:¥11.47
1000+:¥11.29