包装标准卷带
系列-
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)4.3 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)7nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)280pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(最大值)60W(Tc)
工作温度150°C
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PW-MOLD
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63