数据列表:TK30E06N1 -
特色产品:Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET Toshiba - U-MOSⅧ-H MOSFETs
标准包装:50
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
包装:管件
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):43A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1050pF @ 30V
功率 - 最大值:53W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220-3
其它名称:TK30E06N1,S1X(STK30E06N1S1X