数据列表：TK31J60W -

特色产品：DTMOSIV Superjunction MOSFETs

标准包装：25

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：超级结

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：30.8A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：88 毫欧 @ 15.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.7V @ 1.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：86nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3000pF @ 300V

功率 - 最大值：230W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装：TO-3P（N）

其它名称：TK31J60WS1VQ