TK32E12N1,S1X的供应商，TK32E12N1,S1X规格参数，TK32E12N1,S1X的PDF资料

TK32E12N1,S1X /MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC

TK32E12N1,S1X的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:34 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:98 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

高度:15.1 mm

长度:10.16 mm

系列:TK32E12N1

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.45 mm

商标:Toshiba

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:43 ns

典型接通延迟时间:33 ns

单位重量:6 g

TK32E12N1,S1X的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
北京芯时代电子科技发展有限公司	TK32E12N1,S1X	北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座602	13261242936 13261242936	王静	询价
集好芯城	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	4008626627 18129819897	蔡小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
集好芯城	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-83285882 18188616606	陈妍	询价
深圳市坤融电子有限公司	TK32E12N1,S1X(S	航都大厦11FG	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市言叶科技有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路101号华发大院4栋206-2	17673093037 17673093037	刘新	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳振宏微科技有限公司	TK32E12N1,S1X	振兴西路星火工场（305栋)4c02	0755-83791997 13342971551	王	询价
深圳市中飞凌科技有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区华康大厦1栋623	15307553891 15307553891	郭小姐	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层	0755-82796631，0755-82780082 13418647129，15875588575	朱先生，杨小姐	询价
深圳市赛美科科技有限公司	TK32E12N1,S1X	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市雄创芯业电子科技有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市龙岗区吉星花园7栋306	13631670223	徐小姐	询价
深圳创德兴科技有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区华强北路1016号宝华大厦A座A1305	0755-82780078 13418730030	方小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼	0755-83663056 18929374037	连	询价
深圳市腾迅辉电子科技有限公司	TK32E12N1,S1X	华强北路赛格广场44楼4405B室	0755-83250795，0755-83250769 18922846828，18676660258	文燕	询价
深圳市海芯城电子科技有限公司	TK32E12N1,S1X	广东省深圳市福田区华强北街道中航路新亚洲国利大厦 2105	（0755）83538848 17727879644	朱先生	询价
深圳市祺雅电子科技有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区华强北海外装饰大厦3栋3单元608	15099977019 15099977019	张顺方	询价

TK32E12N1,S1X及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
TK32E12N1,S1X	MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC	Toshiba	253.88 Kbytes	共9页	无
TK32E12N1,S1X	MOSFET N CH 120V 60A TO-220	Toshiba Semiconductor and Storage	252.72 Kbytes	共9页	无
TK32E12N1,S1X	MOSFET N CH 120V 60A TO-220	Toshiba Semiconductor and Storage	252.72 Kbytes	共9页	无
TK32E12N1,S1X	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 500uA 漏源导通电阻：13.8mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：98W(Tc) 类型：N沟道	TOSHIBA(东芝)	252.72 Kbytes	共9页	无
TK32E12N1,S1X(S	功率场效应管, MOSFET, N通道, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, 通孔	TOSHIBA	252.72 Kbytes	共9页	无

TK32E12N1,S1X的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	TK32E12N1,S1X	Toshiba America Electronic Components, Inc.	FET - 单 - 分立半导体产品半导体 MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC	1+:￥10.26 10+:￥9.08 25+:￥8.21 100+:￥7.1801 250+:￥6.3 500+:￥5.57 1000+:￥4.4 2500+:￥4.11
Digi-Key 得捷电子	TK32E12N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 120V 60A TO-220	$1.46000
Mouser 贸泽电子	TK32E12N1,S1X	Toshiba	MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC	1:¥10.8367 10:¥8.6784 50:¥8.6784 100:¥6.667 500:¥5.8873
Mouser 贸泽电子	TK32E12N1,S1X	Toshiba America Electronic Components, Inc.	FET - 单 - 分立半导体产品半导体 MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC	1+:￥10.26 10+:￥9.08 25+:￥8.21 100+:￥7.1801 250+:￥6.3 500+:￥5.57 1000+:￥4.4 2500+:￥4.111+:￥8.45 10+:￥6.73 100+:￥5.17 500+:￥4.58 1000+:￥4.34 2500+:￥3.98 10000+:￥3.88 25000+:￥3.79 50000+:￥3.83
立创商城	TK32E12N1,S1X	TOSHIBA(东芝)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 500uA 漏源导通电阻：13.8mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：98W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥15.92 10+:￥13.63 30+:￥13.21 100+:￥12.79 500+:￥12.6 1000+:￥12.37

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