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TK31N60W,S1VF /MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
TK31N60W,S1VF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:30.8 A

Rds On-漏源导通电阻:73 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:86 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:230 W

配置:Single

商标名:DTMOSIV

高度:20.95 mm

长度:15.94 mm

系列:TK31N60W

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.02 mm

商标:Toshiba

下降时间:8.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:32 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:165 ns

典型接通延迟时间:70 ns

单位重量:38 g

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK31N60W,S1VF北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
13261242936
王静Email:wangjing@chipspower.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司TK31N60W,S1VF深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城TK31N60W,S1VF(S深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83285882
18188616606
陈妍Email:sam@678ic.com询价
集好芯城TK31N60W,S1VF深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
18129819897
蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司TK31N60W,S1VF(S深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市言叶科技有限公司TK31N60W,S1VF深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路101号华发大院4栋206-217673093037
17673093037
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深圳市天卓伟业电子有限公司TK31N60W,S1VF深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳振宏微科技有限公司TK31N60W,S1VF振兴西路星火工场(305栋)4c020755-83791997
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深圳市中飞凌科技有限公司TK31N60W,S1VF深圳市福田区华康大厦1栋62315307553891
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深圳市壹芯创科技有限公司TK31N60W,S1VF深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层0755-82796631,0755-82780082
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朱先生,杨小姐Email:yixinchuang@foxmail.com询价
深圳市薪火未来科技有限公司TK31N60W,S1VF南山海岸大厦东座4楼403
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现代芯城(深圳)科技有限公司TK31N60W,S1VF深圳市福田区振中路华强广场B座28F0755-82542579
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深圳市骏凯诚科技有限公司TK31N60W,S1VF(S深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋401室0755-82731802
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深圳市毅创腾电子科技有限公司TK31N60W,S1VF深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室0755-83616256 / 83210909
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深圳市科思奇电子科技有限公司TK31N60W,S1VF上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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TK31N60W,S1VFMOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pFToshibaToshiba的LOGO256.59 Kbytes共10页TK31N60W,S1VF的PDF下载地址
TK31N60W,S1VFMOSFET N CH 600V 30.8A TO247Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO256.21 Kbytes共10页TK31N60W,S1VF的PDF下载地址
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TK31N60W,S1VF(S连续漏极电流(Id)(25°C 时):30.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:3.7V @ 1.5mA 漏源导通电阻:88mΩ @ 15.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W(Tc) 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO255.92 Kbytes共10页TK31N60W,S1VF(S的PDF下载地址
TK31N60W,S1VF的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
TK31N60W,S1VFToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF1+:¥61.46
10+:¥55.31
50+:¥50.4
100+:¥45.48
250+:¥41.7899
500+:¥38.1099
1000+:¥33.19
2500+:¥31.96
5000+:¥30.7301
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Digi-Key 得捷电子
TK31N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 600V 30.8A TO247$8.85000
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Mouser 贸泽电子
TK31N60W,S1VFToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF1:¥71.4612
10:¥65.088
25:¥58.6244
100:¥48.1041
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Mouser 贸泽电子
TK31N60W,S1VFToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF1+:¥61.46
10+:¥55.31
50+:¥50.4
100+:¥45.48
250+:¥41.7899
500+:¥38.1099
1000+:¥33.19
2500+:¥31.96
5000+:¥30.73011+:¥49.03
10+:¥44.14
25+:¥40.0901
100+:¥36.36
250+:¥36.36
500+:¥36.36
1000+:¥33.38
2500+:¥33.05
5000+:¥32.02
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TK31N60W,S1VF(STOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:3.7V @ 1.5mA 漏源导通电阻:88mΩ @ 15.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W(Tc) 类型:N沟道1+:¥17.99
10+:¥13.49
30+:¥12.67
100+:¥11.84
500+:¥11.47
1000+:¥11.29