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ZXMN3B14FTA /MOSFET 30V N Chnl UMOS
ZXMN3B14FTA的规格信息
ZXMN3B14FTA的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:3.5 A

Rds On-漏源导通电阻:140 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.02 mm

长度:3.04 mm

系列:ZXMN3B1

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:1.4 mm

商标:Diodes Incorporated

下降时间:9.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:17.3 ns

典型接通延迟时间:3.6 ns

单位重量:8 mg

供应商ZXMN3B14FTA
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司ZXMN3B14FTA深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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19854773352
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深圳市科思奇电子科技有限公司ZXMN3B14FTA上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
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深圳市成源运利电子科技有限公司ZXMN3B14FTA深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市凌特半导体科技有限公司ZXMN3B14FTA广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市高捷半导体有限公司ZXMN3B14FTA深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549
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ZXMN3B14FTA30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE ZETEX[Zetex Semiconductors]ZETEX[Zetex Semiconductors]的LOGO204.42 Kbytes共7页ZXMN3B14FTA的PDF下载地址ZXMN3B04N8,ZXMN3B01F,ZXMN3A02X8,ZXMN3AM832,ZXMN3A03E6,ZXMN3A04DN8,ZXMN3A14F,ZXM61N03F,ZXMN3A06DN8
ZXMN3B14FTA30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE ZETEX[Zetex Semiconductors]ZETEX[Zetex Semiconductors]的LOGO215.89 Kbytes共7页ZXMN3B14FTA的PDF下载地址ZXMN2B01F,ZXMN2B03E6,ZXMN2B14FH,ZXMD65N03N8,ZXMN3A03E6_05,ZXMN3A04DN8_02,ZXMN3A06DN8_02,STB70NF03L_06,VN10K-TO18,ZXMN6A25K
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ZXMN3B14FTA的全球分销商及价格
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ZXMN3B14FTADiodes IncMOSFET N-Channel 30V 3.5A SOT23+50:$0.51
+100:$0.44
+200:$0.40
+500:$0.34
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Avnet Express
ZXMN3B14FTADiodes Incorporated311 : $0.278
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Digi-Key 得捷电子
ZXMN3B14FTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3$0.64000
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Digi-Key 得捷电子
ZXMN3B14FTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-315,000 : $0.2015
6,000 : $0.20925
3,000 : $0.22475
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Digi-Key 得捷电子
ZXMN3B14FTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N Chnl UMOS3000+:¥1.63
6000+:¥1.53
15000+:¥1.47
30000+:¥1.41
75000+:¥1.39
150000+:¥1.3499
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Future Electronics
ZXMN3B14FTADiodes IncorporatedN-Channel 30 V 0.08 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-23
RoHS : Compliant
3,000 : $0.2278
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Future(富昌)
ZXMN3B14FTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N Chnl UMOS3000+:¥1.63
6000+:¥1.53
15000+:¥1.47
30000+:¥1.41
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150000+:¥1.34991+:¥3.65
10+:¥2.87
100+:¥1.8599
1000+:¥1.6701
3000+:¥1.54
9000+:¥1.5199
24000+:¥1.46
45000+:¥1.43
99000+:¥1.413000+:¥1.15
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Mouser 贸泽电子
ZXMN3B14FTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N Chnl UMOS3000+:¥1.63
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99000+:¥1.41
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Mouser 贸泽电子
ZXMN3B14FTADiodes IncorporatedMOSFET 30V N Chnl UMOS1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
3,000:¥1.9097
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RS Components
ZXMN3B14FTADiodes IncorporatedMOSFET N-Channel 30V 3.5A SOT23价格未公开
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
ZXMN3B14FTADIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:700mV @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 3.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道1+:¥3.56
10+:¥3.46