标准包装：3,000
FET 型
：2 N-Channel (Dual)
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：2.9A
Rds（最大）@ ID，VGS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS：3.9nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的：190pF @ 25V
功率 - 最大：1.5W
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：8-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装：8-DFN (3x2)
包装材料
：Tape & Reel (TR)
动态目录：N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16697?mpart=ZXMN3AMCTA&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；
包装：8DFN EP
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：30 V
最大连续漏极电流：3.7 A
RDS -于：120@10V mOhm
最大门源电压：±20 V
典型导通延迟时间：1.7 ns
典型上升时间：2.3 ns
典型关闭延迟时间：6.6 ns
典型下降时间：2.9 ns
工作温度：-55 to 150 °C
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
产品种类：MOSFET
RoHS：RoHS Compliant
封装：Reel
最大门源电压：±20
包装宽度：2
PCB：8
最大功率耗散：2450
最大漏源电压：30
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：120@10V
每个芯片的元件数：2
最低工作温度：-55
供应商封装形式：DFN EP
标准包装名称：DFN
最高工作温度：150
渠道类型：N
包装长度：3
引脚数：8
包装高度：0.78
最大连续漏极电流：3.7
铅形状：No Lead
单位包：3000
最小起订量：3000
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2.9A
的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250µA
供应商设备封装：8-DFN (3x2)
其他名称：ZXMN3AMCTATR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
FET型：2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大：1.5W
漏极至源极电压（Vdss）：30V
输入电容（Ciss ） @ VDS：190pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS：3.9nC @ 10V
封装/外壳：8-WDFN Exposed Pad
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
连续漏极电流：3.7 A
栅源电压（最大值）：�20 V
功率耗散：2.45 W
工作温度范围：-55C to 150C
极性：N
类型：Power MOSFET
元件数：2
工作温度分类：Military
漏源导通电压：30 V