VBE2658
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38.5W 类型：P沟道
VBE2658的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）25A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻70mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）38.5W
类型P沟道
VBE2658
VBE2658及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| VBE2658 | P-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 597.39 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
VBE2658的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | VBE2658 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38.5W 类型：P沟道 | 1+:￥2.83
10+:￥2.12
30+:￥1.99
100+:￥1.86
500+:￥1.8
1000+:￥1.77
|
立创商城 | VBE2658A | VBsemi(台湾微碧) | 预售晶体管 | 1+:￥1.5264
200+:￥0.5907
500+:￥0.57
1000+:￥0.5597
|