VBE165R04的供应商，VBE165R04规格参数，VBE165R04的PDF资料

VBE165R04 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1Ω @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道

VBE165R04的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.5A(Tc)

栅源极阈值电压5V @ 250uA

漏源导通电阻2.1Ω @ 3.1A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）60W(Tc)

类型N沟道

VBE165R04的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	VBE165R04	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	VBE165R04	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBE165R04	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市微碧半导体有限公司	VBE165R04	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
万三科技（深圳）有限公司	VBE165R04	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBE165R04	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBE165R04	Power MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		740.69 Kbytes	共9页		无

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立创商城	VBE165R04	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1Ω @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥1.9092 10+:￥1.4094 30+:￥1.3176 100+:￥1.10322 500+:￥1.0665 1000+:￥1.04832

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