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VBE16R02 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.4Ω @ 1.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：N沟道

VBE16R02的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）600V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）2A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻4.4Ω @ 1.2A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）42W(Tc)

类型N沟道

VBE16R02

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深圳市芯幂科技有限公司	VBE16R02	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBE16R02	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBE16R02	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBE16R02	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市清腾科技有限公司	VBE16R02	深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路156号上步工业区405栋319	0755-83993052 18390902447	刘先生	询价
深圳博睿鹏成科技有限公司	VBE16R02	深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2009号城投芯时代大厦403	0755-23251550 13510558532,17727431393	唐伟,吕年英	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBE16R02	Power MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		1620.42 Kbytes	共12页		无

VBE16R02的全球分销商及价格

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立创商城	VBE16R02	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.4Ω @ 1.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥1.4963 10+:￥1.1066 30+:￥1.0351 100+:￥0.86715 500+:￥0.83853 1000+:￥0.82431

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