VBE1615
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W 类型:N沟道
VBE1615的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻13mΩ @ 15A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)136W
类型N沟道
VBE1615
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VBE1615 | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 550.24 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
VBE1615的全球分销商及价格
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 立创商城 | VBE1615 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W 类型:N沟道 | 1+:¥2.88 10+:¥2.11 30+:¥1.96 100+:¥1.82 500+:¥1.76 1000+:¥1.73
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 立创商城 | VBE1615B | VBsemi(台湾微碧) | 预售晶体管 | 1+:¥1.2666 200+:¥0.4902 500+:¥0.473 1000+:¥0.4645
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