VBE2338
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):26A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:52mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W 类型:P沟道
VBE2338的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)26A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻52mΩ @ 8A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)25W
类型P沟道
VBE2338
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