VBE1638
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道
VBE1638的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)35A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻45mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)100W
类型N沟道
VBE1638
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VBE1638的全球分销商及价格
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 立创商城 | VBE1638 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道 | 1+:¥2.06 10+:¥1.5 30+:¥1.4 100+:¥1.29 500+:¥1.25 1000+:¥1.22
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 立创商城 | VBE1638A | VBsemi(台湾微碧) | 预售晶体管 | 1+:¥1.2666 200+:¥0.4902 500+:¥0.473 1000+:¥0.4645
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