VBE2102M的供应商，VBE2102M规格参数，VBE2102M的PDF资料

VBE2102M /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.8A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 3.4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32.1W 类型：P沟道

VBE2102M的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）-100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）8.8A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻350mΩ @ 3.4A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）32.1W

类型P沟道

VBE2102M

VBE2102M的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	VBE2102M	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBE2102M	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	VBE2102M	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
集好芯城	VBE2102M	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBE2102M	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	VBE2102M	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBE2102M	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBE2102M	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		678.8 Kbytes	共9页		无

VBE2102M的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	VBE2102M	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.8A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 3.4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32.1W 类型：P沟道	1+:￥2.1 10+:￥1.57 30+:￥1.48 100+:￥1.38 500+:￥1.34 1000+:￥1.31

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