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VBE1806 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W 类型：N沟道

VBE1806的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）80V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）75A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻5.5mΩ @ 75A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）62.5W

类型N沟道

VBE1806

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深圳市芯幂科技有限公司	VBE1806	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBE1806	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBE1806	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	VBE1806	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBE1806	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
佰思特（深圳）供应链管理有限公司	VBE1806	深圳市宝安区新桥街道上星社区中心路110号天悦大厦601	0755-23570121 18682318008	赵军	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBE1806	N-Channel 80 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		725.08 Kbytes	共9页		无

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