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TGF2018 /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
TGF2018的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:

晶体管类型:pHEMT

技术:GaAs

增益:14 dB

Vds-漏源极击穿电压:8 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 15 V

Id-连续漏极电流:58 mA

最大漏极/栅极电压:12 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:640 mW

安装风格:SMD/SMT

封装:Gel Pack

配置:Single

工作频率:20 GHz

工作温度范围:- 65 C to + 150 C

产品:RF JFET

系列:TGF

类型:GaAs pHEMT

商标:Qorvo

正向跨导 - 最小值:70 mS

NF—噪声系数:1 dB

P1dB - 压缩点:22 dBm

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:100

子类别:Transistors

零件号别名:1098412

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