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SUD50N03-06AP-E3 /Single N-Channel 30 V 5.7 mOhms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
SUD50N03-06AP-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):90A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):95nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):3800pF @ 15V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):10W(Ta),83W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):5.7 毫欧 @ 20A,10V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

封装形式Package:DPAK

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:30V

连续漏极电流ID:30A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SUD50N03-06AP-E3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SUD50N03-06AP-E3深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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深圳市天卓伟业电子有限公司SUD50N03-06AP-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市宇浩扬科技有限公司SUD50N03-06AP-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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SUD50N03-06AP-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 90A 83W2000+:¥4.91
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