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SUD25N04-25-E3 /
SUD25N04-25-E3的规格信息
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FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):510pF @ 25V

功率耗散(最大值):3W(Ta),33W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):25 毫欧 @ 25A,10V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SUD25N04-25-E3
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SUD25N04-25-E3MOSFET N-CH 40V 25A TO252Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO50.92 Kbytes共5页SUD25N04-25-E3的PDF下载地址
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