系列：TrenchFET®
FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：35A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：47nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2000pF @ 12V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：8.3W（Ta），83W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：26 毫欧 @ 12A，10V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package：TO-252-3
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：100V
连续漏极电流ID：12A
漏源极导通电阻RDS(ON)：26mOhms
栅源极阀值电压VGS(th)：4.4V
无铅情况/RoHs：否