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SUD45P04-16P-GE3 /
SUD45P04-16P-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):36A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):100nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2765pF @ 20V

功率耗散(最大值):2.1W(Ta),41.7W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):16.2 毫欧 @ 14A, 20V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-252AA

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SUD45P04-16P-GE3
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