FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：100nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2765pF @ 20V
功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），41.7W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：16.2 毫欧 @ 14A， 20V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-252AA
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs