FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):100nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2765pF @ 20V
功率耗散(最大值):2.1W(Ta),41.7W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):16.2 毫欧 @ 14A, 20V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:TO-252AA
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs