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SUD40151EL-GE3 /MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-252
SUD40151EL-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:42 A

Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:74.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:50 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:70 S

下降时间:75 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:75 ns

典型接通延迟时间:15 ns

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