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SUD45P03-09-GE3 /MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50P04-08-GE3
SUD45P03-09-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:45 A

Rds On-漏源导通电阻:8.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:90 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:41.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

系列:SUD

宽度:6.22 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:45 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:12 ns

单位重量:500 mg

供应商SUD45P03-09-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SUD45P03-09-GE3深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
19924492152		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SUD45P03-09-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SUD45P03-09-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市华芯盛世科技有限公司SUD45P03-09-GE3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312		朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SUD45P03-09-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SUD45P03-09-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城SUD45P03-09-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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集好芯城SUD45P03-09-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SUD45P03-09-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SUD45P03-09-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
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芯莱德电子（香港）有限公司SUD45P03-09-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SUD45P03-09-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SUD45P03-09-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市大源实业科技有限公司SUD45P03-09-GE3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
15302619915，13762584085		李小姐Email:dysykj005@foxmail.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SUD45P03-09-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SUD45P03-09-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SUD45P03-09-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
万三科技（深圳）有限公司SUD45P03-09-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
18818598465		王俊杰Email:darren@wansan.net.cn询价
深圳市惊羽科技有限公司SUD45P03-09-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
SUD45P03-09-GE3及相关型号的PDF资料
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SUD45P03-09-GE3P-Channel 30 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO921.85 Kbytes共8页SUD45P03-09-GE3的PDF下载地址无
SUD45P03-09-GE3MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50P04-08-GE3Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO156.21 Kbytes共8页SUD45P03-09-GE3的PDF下载地址无
SUD45P03-09-GE3MOSFET P-CH 30V 45A TO252Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO155.12 Kbytes共8页SUD45P03-09-GE3的PDF下载地址无
SUD45P03-09-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41.7W(Tc) 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO155.12 Kbytes共8页SUD45P03-09-GE3的PDF下载地址无
SUD45P03-09-GE3MOSFET; P-Ch; Vds -30V; Vgs +/- 20V; Rds(on) 15mohm; Id -32A; TO-252; Pd 41.7WSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO155.12 Kbytes共8页SUD45P03-09-GE3的PDF下载地址无
SUD45P03-09-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SUD45P03-09-GE3Siliconix / VishayMOSFET; P-Ch; Vds -30V; Vgs +/- 20V; Rds(on) 15mohm; Id -32A; TO-252; Pd 41.7W+2000:$1.07
+100000:$1.05
+200000:$1.02
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SUD45P03-09-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 45A PCH2000+:￥3.88
6000+:￥3.6899
10000+:￥3.55
50000+:￥3.321+:￥7.7099
10+:￥6.15
100+:￥4.75
500+:￥4.1999
1000+:￥4.1
2000+:￥3.91
4000+:￥3.76
10000+:￥3.6701
24000+:￥3.552000+:￥3.681+:￥4.96
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SUD45P03-09-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 45A TO252Obsolete
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SUD45P03-09-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 45A PCH2000+:￥3.88
6000+:￥3.6899
10000+:￥3.55
50000+:￥3.32
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SUD45P03-09-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 45A PCH2000+:￥3.88
6000+:￥3.6899
10000+:￥3.55
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10+:￥6.15
100+:￥4.75
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1000+:￥4.1
2000+:￥3.91
4000+:￥3.76
10000+:￥3.6701
24000+:￥3.552000+:￥3.68
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SUD45P03-09-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 45A PCH2000+:￥3.88
6000+:￥3.6899
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10000+:￥3.6701
24000+:￥3.55
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SUD45P03-09-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 45A PCH2,000:¥4.8816
元器件资料网-Tti的LOGO
Tti		SUD45P03-09-GE3Vishay Intertechnologies2000+:￥3.88
6000+:￥3.6899
10000+:￥3.55
50000+:￥3.321+:￥7.7099
10+:￥6.15
100+:￥4.75
500+:￥4.1999
1000+:￥4.1
2000+:￥3.91
4000+:￥3.76
10000+:￥3.6701
24000+:￥3.552000+:￥3.681+:￥4.962000+:￥4.58
4000+:￥4.36
10000+:￥4.1799
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SUD45P03-09-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41.7W(Tc) 类型：P沟道1+:￥9.62
10+:￥9.37
30+:￥9.21
100+:￥9.05
SUD45P03-09-GE3的相关型号
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