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SUD50N02-06P-E3 /Single N-Channel 20 V 0.006 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
SUD50N02-06P-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):50A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2550pF @ 10V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):6.8W(Ta),65W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):6 毫欧 @ 20A,10V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

封装形式Package:DPAK

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:20V

连续漏极电流ID:26A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SUD50N02-06P-E3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SUD50N02-06P-E3深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SUD50N02-06P-E3航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SUD50N02-06P-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
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梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
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深圳市宇浩扬科技有限公司SUD50N02-06P-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市赛美科科技有限公司SUD50N02-06P-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市辉华拓展电子有限公司SUD50N02-06P-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市微碧半导体有限公司SUD50N02-06P-E3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市金华微盛电子有限公司SUD50N02-06P-E3深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A13113510157626
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SUD50N02-06P-E3SUD50N02-06P-E3 N-channel MOSFET Transistor; 50 A; 20 V; 3-Pin TO-252Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO146.84 Kbytes共7页SUD50N02-06P-E3的PDF下载地址
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SUD50N02-06P-E3Siliconix / VishaySUD50N02-06P-E3 N-channel MOSFET Transistor; 50 A; 20 V; 3-Pin TO-252+250:$1.78
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SUD50N02-06P-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 26A 65W1+:¥17.6
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