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SUD50N02-09P-GE3 /
SUD50N02-09P-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

DraintoSourceVoltage(Vdss):20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):20A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):16nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1300pF @ 10V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):39.5W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):14 毫欧 @ 20A,10V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

无铅情况/RoHs:

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