系列:TrenchFET®
FET类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
DraintoSourceVoltage(Vdss):20V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):20A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):16nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1300pF @ 10V
Vgs(最大值):±20V
功率耗散(最大值):39.5W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):14 毫欧 @ 20A,10V
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
无铅情况/RoHs:否