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SUD19P06-60-GE3 /MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V
SUD19P06-60-GE3的规格信息
SUD19P06-60-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:18.3 A

Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:26 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:38.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SUD

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:22 S

下降时间:30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:65 ns

典型接通延迟时间:8 ns

单位重量:1.438 g

供应商SUD19P06-60-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SUD19P06-60-GE3深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
19924492152		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SUD19P06-60-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SUD19P06-60-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司SUD19P06-60-GE3深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SUD19P06-60-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SUD19P06-60-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SUD19P06-60-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SUD19P06-60-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SUD19P06-60-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
集好芯城SUD19P06-60-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SUD19P06-60-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SUD19P06-60-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SUD19P06-60-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市德州众泰科技有限公司SUD19P06-60-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
13360063783		廖小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SUD19P06-60-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
芯莱德电子（香港）有限公司SUD19P06-60-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SUD19P06-60-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SUD19P06-60-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SUD19P06-60-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560		李Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SUD19P06-60-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
SUD19P06-60-GE3及相关型号的PDF资料
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SUD19P06-60-GE3P-Channel 60 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO902.6 Kbytes共8页SUD19P06-60-GE3的PDF下载地址无
SUD19P06-60-GE3MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO156.80 Kbytes共8页SUD19P06-60-GE3的PDF下载地址无
SUD19P06-60-GE3MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO172.63 Kbytes共9页SUD19P06-60-GE3的PDF下载地址无
SUD19P06-60-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18.3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.3W 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO155.70 Kbytes共8页SUD19P06-60-GE3的PDF下载地址无
SUD19P06-60-GE3MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO172.63 Kbytes共9页SUD19P06-60-GE3的PDF下载地址无
SUD19P06-60-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SUD19P06-60-GE3Siliconix / VishayMOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252+2000:$0.96
+4000:$0.92
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SUD19P06-60-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V2000+:￥3.1799
6000+:￥3.0099
10000+:￥2.91
50000+:￥2.721+:￥6.8401
10+:￥5.5199
100+:￥4.24
500+:￥3.74
1000+:￥3.66
2000+:￥3.49
4000+:￥3.36
10000+:￥3.28
24000+:￥3.17991+:￥3.281+:￥8.7
10+:￥6.81
100+:￥6.141+:￥3.8
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SUD19P06-60-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V2000+:￥3.1799
6000+:￥3.0099
10000+:￥2.91
50000+:￥2.72
元器件资料网-Element_sh的LOGO
Element_sh		SUD19P06-60-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V2000+:￥3.1799
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10+:￥5.5199
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10000+:￥3.28
24000+:￥3.17991+:￥3.281+:￥8.7
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SUD19P06-60-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V2000+:￥3.1799
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SUD19P06-60-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V2000+:￥3.1799
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SUD19P06-60-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V1:¥9.1417
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥4.972
1,000:¥3.9211
2,000:¥3.9211
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SUD19P06-60-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V2000+:￥3.1799
6000+:￥3.0099
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10+:￥5.5199
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100+:￥6.141+:￥3.81+:￥3.19
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SUD19P06-60-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18.3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.3W 类型：P沟道1+:￥5.38
10+:￥4.05
30+:￥3.81
100+:￥3.4629
500+:￥3.3562
1000+:￥3.3077
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