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SUD09P10-195-GE3 /MOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
SUD09P10-195-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:8.8 A

Rds On-漏源导通电阻:195 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:23.2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:32.1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

系列:SUD

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:12 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:33 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:340 mg

供应商SUD09P10-195-GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SUD09P10-195-GE3深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
19924492152
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SUD09P10-195-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市星宇佳科技有限公司SUD09P10-195-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SUD09P10-195-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
集好芯城SUD09P10-195-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SUD09P10-195-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SUD09P10-195-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SUD09P10-195-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市百域芯科技有限公司SUD09P10-195-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
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芯莱德电子(香港)有限公司SUD09P10-195-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷芯城科技有限公司SUD09P10-195-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SUD09P10-195-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SUD09P10-195-GE3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SUD09P10-195-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市骏凯诚科技有限公司SUD09P10-195-GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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万三科技(深圳)有限公司SUD09P10-195-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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深圳市宇浩扬科技有限公司SUD09P10-195-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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SUD09P10-195-GE3P-Channel 100 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1046.86 Kbytes共9页SUD09P10-195-GE3的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
SUD09P10-195-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥2.55
6000+:¥2.42
10000+:¥2.3301
50000+:¥2.17991+:¥5.04
10+:¥4.06
100+:¥3.12
500+:¥2.76
1000+:¥2.6899
2000+:¥2.57
4000+:¥2.47
10000+:¥2.41
24000+:¥2.33011+:¥3.712000+:¥2.721+:¥3.66
2001+:¥2.62
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SUD09P10-195-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥2.55
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SUD09P10-195-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 8.8A TO252$0.91000
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element14 e络盟电子
SUD09P10-195-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥2.55
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2000+:¥2.57
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10000+:¥2.41
24000+:¥2.33011+:¥3.71
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Mouser 贸泽电子
SUD09P10-195-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥2.55
6000+:¥2.42
10000+:¥2.3301
50000+:¥2.17991+:¥5.04
10+:¥4.06
100+:¥3.12
500+:¥2.76
1000+:¥2.6899
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10000+:¥2.41
24000+:¥2.3301
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Mouser 贸泽电子
SUD09P10-195-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A1:¥6.7574
10:¥5.537
100:¥4.2488
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,000:¥2.8815
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Verical
SUD09P10-195-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥2.55
6000+:¥2.42
10000+:¥2.3301
50000+:¥2.17991+:¥5.04
10+:¥4.06
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1000+:¥2.6899
2000+:¥2.57
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10000+:¥2.41
24000+:¥2.33011+:¥3.712000+:¥2.721+:¥3.66
2001+:¥2.621+:¥2.72
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立创商城
SUD09P10-195-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.8A(Tc) 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:195mΩ @ 3.6A,10 最大功率耗散(Ta=25°C):32.1W(Tc) 类型:P沟道1+:¥5.03
10+:¥4.9
30+:¥4.81
100+:¥3.77