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SUD19N20-90-E3 /Single N-Channel 200 V 0.09 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
SUD19N20-90-E3的规格信息
SUD19N20-90-E3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：19A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：51nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1800pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：3W（Ta），136W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：90 毫欧 @ 5A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

封装形式Package：DPAK

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：200V

连续漏极电流ID：19A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SUD19N20-90-E3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SUD19N20-90-E3深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
19924492152		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SUD19N20-90-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城SUD19N20-90-E3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SUD19N20-90-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SUD19N20-90-E3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SUD19N20-90-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司SUD19N20-90-E3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SUD19N20-90-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市天卓伟业电子有限公司SUD19N20-90-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯奕科技有限公司SUD19N20-90-E3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SUD19N20-90-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SUD19N20-90-E3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SUD19N20-90-E3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SUD19N20-90-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SUD19N20-90-E3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SUD19N20-90-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
深圳市骏凯诚科技有限公司SUD19N20-90-E3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SUD19N20-90-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SUD19N20-90-E3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SUD19N20-90-E3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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SUD19N20-90-E3MOSFET N-CH 200-V (D-S) 175C DEGVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO151.21 Kbytes共7页SUD19N20-90-E3的PDF下载地址无
SUD19N20-90-E3MOSFET N-CH 200V 19A DPAKVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO167.45 Kbytes共8页SUD19N20-90-E3的PDF下载地址无
SUD19N20-90-E3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：19A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO150.11 Kbytes共7页SUD19N20-90-E3的PDF下载地址无
SUD19N20-90-E3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		SUD19N20-90-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 17.5A 100W1+:￥20.51
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SUD19N20-90-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 17.5A 100W1+:￥20.51
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SUD19N20-90-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 17.5A 100W1+:￥20.51
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SUD19N20-90-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 17.5A 100W1+:￥20.51
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SUD19N20-90-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 17.5A 100W1+:￥20.51
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SUD19N20-90-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 17.5A 100W1+:￥20.51
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SUD19N20-90-E3Vishay / SiliconixMOSFET 200V 17.5A 100W1:¥23.5944
10:¥19.5942
100:¥15.2098
500:¥13.2888
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元器件资料网-Tti的LOGO
Tti		SUD19N20-90-E3Vishay Intertechnologies1+:￥20.51
10+:￥18.5401
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立创商城		SUD19N20-90-E3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：19A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道1+:￥9.34
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