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SUD23N06-31-GE3 /MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V
SUD23N06-31-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:21.4 A

Rds On-漏源导通电阻:31 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:11 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:31.25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

系列:SUD

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:20 S

下降时间:25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:8 ns

单位重量:1.438 g

供应商SUD23N06-31-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SUD23N06-31-GE3深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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深圳市芯幂科技有限公司SUD23N06-31-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城SUD23N06-31-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SUD23N06-31-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SUD23N06-31-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城SUD23N06-31-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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芯莱德电子（香港）有限公司SUD23N06-31-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SUD23N06-31-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SUD23N06-31-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SUD23N06-31-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司SUD23N06-31-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
上海三崧电子有限公司SUD23N06-31-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SUD23N06-31-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SUD23N06-31-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市星宇佳科技有限公司SUD23N06-31-GE3 MOS(场效应管)深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市天卓伟业电子有限公司SUD23N06-31-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
万三科技（深圳）有限公司SUD23N06-31-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
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SUD23N06-31-GE3MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO157.71 Kbytes共10页SUD23N06-31-GE3的PDF下载地址无
SUD23N06-31-GE3MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 0.025Ohm; ID 25A; TO-252; PD 50W; VGS +/-20V; -55Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO157.71 Kbytes共10页SUD23N06-31-GE3的PDF下载地址无
SUD23N06-31-GE3的全球分销商及价格
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Allied Electronics		SUD23N06-31-GE3Siliconix / VishayMOSFET; Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 0.025Ohm; ID 25A; TO-252; PD 50W; VGS +/-20V; -55+2000:$0.59
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Arrow(艾睿)		SUD23N06-31-GE3Vishay半导体 MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:￥2.85
6000+:￥2.7
10000+:￥2.61
50000+:￥2.441+:￥5.62
10+:￥4.55
100+:￥3.49
500+:￥3.08
1000+:￥3.0099
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4000+:￥2.77
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ChipOneStop		SUD23N06-31-GE3Vishay半导体 MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:￥2.85
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SUD23N06-31-GE3Vishay半导体 MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:￥2.85
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元器件资料网-Element_sh的LOGO
Element_sh		SUD23N06-31-GE3Vishay半导体 MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:￥2.85
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
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Mouser 贸泽电子		SUD23N06-31-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V1:¥7.5258
10:¥6.2037
100:¥4.7573
500:¥4.0906
2,000:¥4.0906
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Verical		SUD23N06-31-GE3Vishay半导体 MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:￥2.85
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立创商城		SUD23N06-31-GE3VISHAY(威世)预售晶体管1+:￥10.03
200+:￥3.88
500+:￥3.75
1000+:￥3.68
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