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SUD19N20-90-BE3 /MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
SUD19N20-90-BE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesTrenchFET®

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)200 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 10 V

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1800 pF @ 25 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)3W (Ta), 136W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageD-PAK (TO-252AA)

Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商SUD19N20-90-BE3
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