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STW24N60DM2 /MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
STW24N60DM2的规格信息
STW24N60DM2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:18 A

Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:29 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

商标名:FDmesh

封装:Tube

系列:STW24N60DM2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8.7 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:60 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:38 g

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STW24N60DM2N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO1200.83 Kbytes共21页STW24N60DM2的PDF下载地址
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STW24N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 18A TO247$5.39000
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
STW24N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM21:¥37.5725
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STW24N60DM2ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道1+:¥10.8
10+:¥7.91
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100+:¥6.85
500+:¥6.61
1000+:¥6.49