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STW19NM65N /N-Channel 650 V 0.27 Ohm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-247
STW19NM65N的规格信息
STW19NM65N的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列MDmesh™ II

FET类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）15.5A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）55nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）1900pF @ 50V

Vgs（最大值）±25V

功率耗散（最大值）150W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）270 毫欧 @ 7.75A，10V

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

封装/外壳TO-247-3

封装形式PackageTO-247

极性PolarityN-CH

漏源极击穿电压VDSS650V

连续漏极电流ID15.5A

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商STW19NM65N
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