制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.5 kV

Id-连续漏极电流:14 A

Rds On-漏源导通电阻:900 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:89 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:446 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

高度:5.15 mm

长度:20.15 mm

产品:Power MOSFET

系列:STW21N150K5

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

类型:MDmesh K5

宽度:15.75 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:26 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:134 ns

典型接通延迟时间:34 ns

单位重量:38 g