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STW20NM50FD /MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
STW20NM50FD的规格信息
STW20NM50FD的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:214 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:FDmesh

封装:Tube

高度:20.15 mm

长度:15.75 mm

系列:STW20NM50FD

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型接通延迟时间:22 ns

单位重量:38 g

供应商STW20NM50FD
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STW20NM50FDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? 分立半导体产品600+:¥29.59991+:¥32.79
10+:¥29.45
25+:¥25.7130+:¥11.65
60+:¥11.5201
120+:¥9.86011+:¥43.51
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STW20NM50FDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3$6.87000
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STW20NM50FDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp1:¥48.025
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STW20NM50FDST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):214W(Tc) 类型:N沟道1+:¥17.93
10+:¥15.36
30+:¥14.89
100+:¥14.42
500+:¥14.21
1000+:¥13.95