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STW20NM60FD /MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
STW20NM60FD的规格信息
STW20NM60FD的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:290 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:214 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:FDmesh

封装:Tube

高度:20.15 mm

长度:15.75 mm

系列:STW20NM60FD

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型接通延迟时间:25 ns

单位重量:38 g

供应商STW20NM60FD
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深圳市芯幂科技有限公司STW20NM60FD深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市全秀电子有限公司STW20NM60FD东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司STW20NM60FD深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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STW20NM60FD的全球分销商及价格
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