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STW21N65M5 /STMicroelectronics/分立半导体产品
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其它有关文件:STW21N65M5 View All Specifications

产品培训模块:5th Generation High Voltage Mosfet Technology

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:MDmesh? V

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 8.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1950pF @ 100V

功率 - 最大值:125W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO-247-3

其它名称:497-10654-5STW21N65M5-ND

供应商STW21N65M5
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赵伟滨Email:SalesDirector@weiyeic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STW21N65M5深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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18682318008
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深圳市辉华拓展电子有限公司STW21N65M5深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
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RS(欧时)
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5000+:¥22.89
10000+:¥23.560110+:¥50.71
30+:¥45.56
60+:¥39.64
120+:¥36.42